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Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB De 3 Pines, Config. Simple

About The Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 140000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm

Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 140000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB De 3 Pines, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB De 3 Pines, Config. Simple

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Schneider Electric Arrancador directo LE4, 500 V ac, 7.5 kW, IP657, Número de Polos: Tripolar, Funcionalidad del Arrancador del Motor: Automático, Longitud Total: 330mm, Envolvente: Sí, Anchura Total: 186mm, Verificación Better World : Green Premium, Profundidad Total: 175.5mm, MPN: LE4D12V7
    • Schneider Electric Relé de sobrecarga térmica TeSys LRD, 1 NA + 1 NC, 0,25 → 0,4 A, Corriente Nominal de los Contactos: 400 mA, Configuración de los Polos: 3P, Estilo de Montaje: Contactor directo, Método de Reinicio: Automático, manual, Tipo de Terminal: Roscado, Anchura: 45mm, Profundidad: 66mm, Longitud: 123mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +60°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20°C, MPN: LRD03
    • Schneider Electric Relé de sobrecarga térmica TeSys LRD, 1 NA + 1 NC, 9 → 13 A, Configuración de los Polos: 3P, Estilo de Montaje: Direct Contactor, Potencia Nominal: 6 kV, Método de Reinicio: Automatic, Manual, Tipo de Terminal: Screw, Número de Contactos Auxiliares: 2, Anchura: 45mm, Profundidad: 70mm, Longitud: 66mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +60°C, MPN: LRD16
    • Facom Llave hexagonal, métrica de 12mm, Imperial o Métrica: Métrico, Conducto Largo o Corto: Largo, Material: Acero al Silicio, MPN: 83H.12
    • LEM Transformador de corriente LA, entrada 200A, ratio: 200:1, Tamaño del diámetro interno: 13 x 11mm, Tecnología de sensores: Lazo Cerrado, Tensión de Alimentación: 12 → 15 V, Corriente de Salida: 125 mArms, Altura Total: 33.6mm, Anchura Total: 48.4mm, Profundidad Total: 21.4mm, Temperatura Mínima: -40°C, Temperatura Máxima: +85°C, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, MPN: LA 125P
    • Facom Mazo, de Poliuretano, Ø 25.0mm, MPN: EB.25

    Facom Mazo, de Poliuretano, Ø 25.0mm, MPN: EB.25

    0mm.Facom Mazo, de Poliuretano, Ø 25.

    • Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    66mm.Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config.

    • Infineon MOSFET IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 230000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.Infineon MOSFET IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, config.66mm.

    • Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config.66mm. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 140000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.

    • Infineon MOSFET IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 230000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.Infineon MOSFET IRFB3307ZPBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, config.66mm.