onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20.0V, Configuración: Trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: NXH35C120L2C2SG
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT
Onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6
Specifications of Onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |