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Onsemi Transistor, NJVMJD32CT4G, PNP -3 A -100 V DPAK (TO-252), 3 Pines, 1 MHz, Simple

About The 38mm, MPN: NJVMJD32CT4G.73 x 6

onsemi Transistor, PNP -3 A -100 V DPAK (TO-252), 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 15 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJVMJD32CT4G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

Onsemi Transistor, NJVMJD32CT4G, PNP -3 A -100 V DPAK (TO-252), 3 Pines, 1 MHz, Simple

APEM Interruptor de palanca DPDT, Funcionamiento On-On, No, Valor Nominal del Contacto: 3 A a 250 V ac, 4 A a 30 V dc, 6 A a 125 V ac, Tipo de Montaje: Montaje en Panel, Tipo de Terminal: Solder Lug, Diámetro de la Abertura del Panel: 6.5mm, Longitud del Actuador: 17.8mm, Material del Actuador: Latón chapado en cromo, Tensión Nominal: 30 V dc, 125 V ac, 250V ac, Material del Contacto: Plata, Resistencia del Contacto: 10mΩ, Tamaño de la Abertura del Panel: 6.5 Dia.mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85°C, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -40°C, MPN: 5646AB-2
onsemi Diodo de protección ESD Bidireccional, 0.36W, DFN8, 8-Pines, Configuración de diodo: Array, Tensión Mínima de Ruptura: 13.7V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 12V, Protección ESD: Sí, Número de Elementos por Chip: 4, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Capacidad: 66pF, Dimensiones: 2 x 2 x 0.95mm, MPN: NUF2114MNT1G
More from Onsemi? Onsemi Transistor, PNP -3 A -100 V DPAK (TO-252), 3 Pines, 1 MHz, Simple, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Disipación De Potencia Máxima: 15 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 6.73 X 6.22 X 2.38mm, MPN: NJVMJD32CT4G
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Specifications of Onsemi Transistor, NJVMJD32CT4G, PNP -3 A -100 V DPAK (TO-252), 3 Pines, 1 MHz, Simple

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Onsemi Transistor, NJVMJD32CT4G, PNP -3 A -100 V DPAK (TO-252), 3 Pines, 1 MHz, Simple
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Vishay, 4.99kΩ, ±0.1%, 2.5W, 2512 (6432M), MPN: PHPA2512E4991BST1

Vishay, 4.99kΩ, ±0.1%, 2.5W, 2512 (6432M), MPN: PHPA2512E4991BST1

Vishay, 4.99kΩ, ±0.5W, 2512 (6432M).1%, 2.

    • onsemi Registro de desplazamiento NLV74HC164ADR2G, HC, 8 bits Contador ascendente, Unidireccional 14 pines SOIC 1, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 6 V, Dimensiones: 8.75 x 4 x 1.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: 125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Tipo de Reset: Asíncrono
    • APEM Interruptor de palanca DPDT, Funcionamiento (On)-Off-(On), No, Valor Nominal del Contacto: 3 A a 250 V ac, 4 A a 30 V dc, 6 A a 125 V ac, Tipo de Montaje: Montaje en Panel, Tipo de Terminal: Solder Lug, Diámetro de la Abertura del Panel: 6.5mm, Longitud del Actuador: 17.8mm, Material del Actuador: Latón chapado en cromo, Tensión Nominal: 30 V dc, 125 V ac, 250V ac, Material del Contacto: Plata, Resistencia del Contacto: 10mΩ, Tamaño de la Abertura del Panel: 6.5 Dia.mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85°C, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -40°C, MPN: 5647AB-2
    • Paulstra Hutchinson Junta para eje giratorio de Caucho nitrilo, Ø int.

    Paulstra Hutchinson Junta para eje giratorio de Caucho nitrilo, Ø int.

    Paulstra Hutchinson Junta para eje giratorio de Caucho nitrilo, Ø int.52mm, grosor 7mm, Tipo de Sellado: Sello de eje giratorio, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -30°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +110°C, MPN: 722910 25mm, Ø ext. 52mm, grosor 7mm. 25mm, Ø ext.

    • Paulstra Hutchinson Junta para eje giratorio de Caucho nitrilo, Ø int.

    Paulstra Hutchinson Junta para eje giratorio de Caucho nitrilo, Ø int.

    52mm, grosor 7mm. Paulstra Hutchinson Junta para eje giratorio de Caucho nitrilo, Ø int.52mm, grosor 7mm, Tipo de Sellado: Sello de eje giratorio, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -30°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +110°C, MPN: 722910 25mm, Ø ext. 25mm, Ø ext.