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Infineon MOSFET IPB80N06S4L05ATMA2, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

About The 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Altura: 4.4mm

Infineon MOSFET IPB80N06S4L05ATMA2, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Altura: 4.4mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPB80N06S4L05ATMA2, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET IPB80N06S4L05ATMA2, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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