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Infineon MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

About The Infineon MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm

Simple, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm Infineon MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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    Simple, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 107 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm.Infineon MOSFET IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.

    • UPower Pantalón para Unisex, Negro, Duradero, 40 % poliéster, 60% algodón Don't worry 32-34plg 82-86cm, Estilo: Pantalones, MPN: DW022BC-48

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