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Infineon MOSFET IPC50N04S55R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines

About The 4V, Material del transistor: Silicio.Infineon MOSFET IPC50N04S55R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, Serie: OptiMOS™ 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0058 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3

Infineon MOSFET IPC50N04S55R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, Serie: OptiMOS™ 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0058 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.4V, Material del transistor: Silicio

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPC50N04S55R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPC50N04S55R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines

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