Infineon Transistor, PNP 100 mA 30 V Dual SOT-143, 4 pines, 250 MHz, Espejo de corriente, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 1 x 2.9 x 1.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,65 V, MPN: BCV62AE6327HTSA1
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Infineon Transistor, BCV62AE6327HTSA1, PNP 100 MA 30 V Dual SOT-143, 4 Pines, 250 MHz, Espejo De Corriente
Specifications of Infineon Transistor, BCV62AE6327HTSA1, PNP 100 MA 30 V Dual SOT-143, 4 Pines, 250 MHz, Espejo De Corriente | |
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