Toshiba MOSFET TK10A80E,S4X(S, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220SIS De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Toshiba MOSFET TK10A80E,S4X(S, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220SIS de 3 pines,, config
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Toshiba MOSFET TK10A80E,S4X(S, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220SIS de 3 pines,, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
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Specifications of Toshiba MOSFET TK10A80E,S4X(S, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220SIS De 3 Pines,, Config. Simple | |
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