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ROHM Diodo, RB168LAM-30TR, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines

About The ROHM Diodo, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines, MPN: RB168LAM-30TR

ROHM Diodo, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines, MPN: RB168LAM-30TR

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos Schottky y Rectificadores

ROHM Diodo, RB168LAM-30TR, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines

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Specifications of ROHM Diodo, RB168LAM-30TR, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines

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ROHM Diodo, RB168LAM-30TR, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines
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CIF Fresa de acabado Carburo de Tungsteno DUFD6, diám. de corte 0.8mm

CIF Fresa de acabado Carburo de Tungsteno DUFD6, diám. de corte 0.8mm

CIF Fresa de acabado Carburo de Tungsteno DUFD6, diám. de corte 0.8mm, Número de Piezas: 1, Diámetro de la Espiga: 3,17 mm.

    • Vishay MOSFET IRFBF30PBF, VDSS 900 V, ID 3,6 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFBF30PBF, VDSS 900 V, ID 3,6 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.Vishay MOSFET IRFBF30PBF, VDSS 900 V, ID 3,6 A, TO-220AB de 3 pines,, config.41mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • CIF Broca de Perforación para PCB, Carburo, 0.5mm, MPN: DU65.10
    • CIF Placa de cobre para PCB, Doble Cara, Base FR4, FR4, grosor 35μm, 150 x 200 x 1,6mm, Material de la Base: Laminado de Tejido de Vidrio Epoxi, Tipo de placa: Placa de cobre simple, Grosor del Cobre: 35µm, Longitud: 200mm, Grosor: 150mm, Profundidad: 1.6mm, MPN: AE15
    • Vishay MOSFET IRFBC40PBF, VDSS 600 V, ID 6,2 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFBC40PBF, VDSS 600 V, ID 6,2 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.41mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Vishay MOSFET IRFBC40PBF, VDSS 600 V, ID 6,2 A, TO-220AB de 3 pines,, config.

    • ROHM Diodo, 1A, 60V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: RB168LAM-60TFTR
    • ROHM Diodo, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines, MPN: RB168LAM-30TR

    ROHM Diodo, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines, MPN: RB168LAM-30TR

    ROHM Diodo, RB168LAM-30TR, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines.

    • Microchip Microcontrolador PIC24FV32KA302-I/SP, núcleo PIC de 16bit, RAM 2,048 kB, 512 B, 32MHZ, SPDIP de 28 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tamaño de la Memoria del Programa: 32 kB, Número de Unidades PWM: 1 x 16 bit
    • ROHM Diodo, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines, MPN: RB168LAM-30TR

    ROHM Diodo, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines, MPN: RB168LAM-30TR

    ROHM Diodo, RB168LAM-30TR, 1A, 30V Barrera Schottky, SOD-128, 2-Pines.

    • Microchip Microcontrolador PIC24FV32KA302-I/SP, núcleo PIC de 16bit, RAM 2,048 kB, 512 B, 32MHZ, SPDIP de 28 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tamaño de la Memoria del Programa: 32 kB, Número de Unidades PWM: 1 x 16 bit