Vishay MOSFET SiHA690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 2,7 A, 4,3 A, TO-220 FP de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1
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Vishay MOSFET SiHA690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 2,7 A, 4,3 A, TO-220 FP De 3 Pines
Specifications of Vishay MOSFET SiHA690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 2,7 A, 4,3 A, TO-220 FP De 3 Pines | |
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