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Vishay MOSFET SIHU6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines

About The Vishay MOSFET SIHU6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Vishay MOSFET SIHU6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,95 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Vishay MOSFET SIHU6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines

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