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Onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 De 8 Pines

About The onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.002 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.002 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 De 8 Pines

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Specifications of Onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 De 8 Pines

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Onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 De 8 Pines
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Rating :- 9.86 /10
Votes :- 41
Hammond Caja de Policarbonato, 7.1 x 4.7 x 1.8plg, IP68, Longitud Externa: 180,3 mm, Calibre: 1555, Altura Externa: 45,7 mm, Anchura Externa: 119,4 mm, MPN: 1555HL2GY
    • Honeywell Cubierta para uso con Interruptor básico grande, Tipo de Accesorio: Carcasa, Serie: 3PA1, MPN: 3PA1-PG
    • Roline Cable DisplayPort negro, con.

    Roline Cable DisplayPort negro, con.

    B: DisplayPort hembra. A: Mini Display Port macho, con.B: DisplayPort hembra, Cumple con los Estándares: Conformidad con RoHS, MPN: 12.

    • onsemi MOSFET NTP082N65S3HF, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.082 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Número de Elementos por Chip: 1
    • onsemi MOSFET NTMTSC1D6N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 267 A, TDFNW8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.0017 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • Hammond Caja de ABS, 3.5 x 3.5 x 2.4plg, IP66, Longitud Externa: 88,9 mm, Altura Externa: 61 mm, Calibre: 1555, MPN: 1555EGY
    • onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.002 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • Microchip Receptor de infrarrojos MICRF211AYQS, ASK, OOK, QSOP, 16 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Longitud: 4.9mm, Ancho: 3.91mm, Altura: 1.47mm, Frecuencia de Banda 1 Máxima de Funcionamiento: 450MHZ, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3,6 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105 °C, Frecuencia de Banda 1 Mínima de Funcionamiento: 380MHZ, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 3 V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C
    • onsemi MOSFET NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.002 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • Microchip Receptor de infrarrojos MICRF211AYQS, ASK, OOK, QSOP, 16 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Longitud: 4.9mm, Ancho: 3.91mm, Altura: 1.47mm, Frecuencia de Banda 1 Máxima de Funcionamiento: 450MHZ, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3,6 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105 °C, Frecuencia de Banda 1 Mínima de Funcionamiento: 380MHZ, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 3 V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C