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Wurth Elektronik Wurth, 22 μH ±20%, Ferrita De Manganeso-Zinc, SRF Máxima:8.15MHZ, Idc:23.2A, Rdc:8.8mΩ

About The .15MHZ, Idc:23

Wurth Elektronik Wurth, 22 μH ±20%, Ferrita de Manganeso-Zinc, SRF máxima:8.15MHZ, Idc:23.2A, Rdc:8.8mΩ, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 36mm, Profundidad: 34.5mm, Altura: 35mm, Dimensiones: 36 x 34.5 x 35mm, Serie: WE-HCFT, Diámetro del Pin: 2mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: 7443783533220

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Componentes Pasivos > Inductores > Inductores para PCB

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Specifications of Wurth Elektronik Wurth, 22 μH ±20%, Ferrita De Manganeso-Zinc, SRF Máxima:8.15MHZ, Idc:23.2A, Rdc:8.8mΩ

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TE Connectivity Conector macho para PCB serie AMP-LATCH de 60 vías, 2 filas, paso 2.54mm, para soldar, Montaje en, Orientación del Cuerpo: Recto, Recubierto/No Recubierto: Recubierto, Sistema de conectores: Cable a Placa, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Soldador, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Valor Nominal de Corriente: 1.0A, Número de serie: 1-5102154, Tensión Nominal: 250,0 V., MPN: 1-5102154-1
    • Vishay MOSFET IRFP22N50APBF, VDSS 500 V, ID 22 A, TO-247AC de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFP22N50APBF, VDSS 500 V, ID 22 A, TO-247AC de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 230 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 277 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.

    • TE Connectivity Carcasa de montaje en PCB Hembra 487526-7, Serie FFC, paso: 2.54mm, 8 contactos,, 1 fila filas, Recto,, Tipo de Montaje: Montaje de Cable, Para Uso Con: Conectores, Longitud: 0.79plg, Anchura: 0.54plg, Material de la Carcasa: Nylon
    • Vishay MOSFET IRFIB7N50APBF, VDSS 500 V, ID 6,6 A, TO-220FP de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFIB7N50APBF, VDSS 500 V, ID 6,6 A, TO-220FP de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 520 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Vishay MOSFET IRFIB7N50APBF, VDSS 500 V, ID 6,6 A, TO-220FP de 3 pines,, config.

    • Vishay MOSFET IRFB9N60APBF, VDSS 600 V, ID 9,2 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFB9N60APBF, VDSS 600 V, ID 9,2 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 750 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.41mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Vishay MOSFET IRFB9N60APBF, VDSS 600 V, ID 9,2 A, TO-220AB de 3 pines,, config.

    • Artesyn Embedded Technologies Convertidor dc-dc 30W, Salida 0.59 → 5.1V dc, 6A, ±0.5%, Rango de tensión de entrada: 3 → 13,8 V dc, Tipo de montaje: Agujero pasante, Profundidad: 16.51mm, Longitud:: 10.41mm, Ancho: 9.42mm, Serie: LDO03C, Efficiency: 0.92, MPN: LDO06C-005W05-VJ
    • Wurth Elektronik Wurth, 22 μH ±20%, Ferrita de Manganeso-Zinc, SRF máxima:8.15MHZ, Idc:23.2A, Rdc:8.8mΩ, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 36mm, Profundidad: 34.5mm, Altura: 35mm, Dimensiones: 36 x 34.5 x 35mm, Serie: WE-HCFT, Diámetro del Pin: 2mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: 7443783533220
    • Infineon MOSFET IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    54mm.Infineon MOSFET IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.

    • Wurth Elektronik Wurth, 22 μH ±20%, Ferrita de Manganeso-Zinc, SRF máxima:8.15MHZ, Idc:23.2A, Rdc:8.8mΩ, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 36mm, Profundidad: 34.5mm, Altura: 35mm, Dimensiones: 36 x 34.5 x 35mm, Serie: WE-HCFT, Diámetro del Pin: 2mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: 7443783533220
    • Infineon MOSFET IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRF1010EPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, TO-220AB de 3 pines,, config.54mm. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.