STMicroelectronics MOSFET STB30NF10T4, VDSS 100 V, ID 35 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 45 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 115000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.6mm
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STMicroelectronics MOSFET STB30NF10T4, VDSS 100 V, ID 35 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of STMicroelectronics MOSFET STB30NF10T4, VDSS 100 V, ID 35 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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