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Panasonic Varistor De Disco V, Tensión De Ruptura 330V, 50A, 115J, 580pF, Dim. 15.5 (Dia.) X 5.5mm, Paso 7.5mm

About The 5mm, Máxima Tensión Nominal AC: 210V, Máxima Tensión Nominal DC: 270V, Tensión de Enclavamiento: 545V, Serie: ZNR, Diámetro: 15.5mm, Máxima Corriente de Punta: 6000A, MPN: ERZV14D331

15.5 (Dia.) x 5.5mm, paso 7.5mm, Máxima Tensión Nominal AC: 210V, Máxima Tensión Nominal DC: 270V, Tensión de Enclavamiento: 545V, Serie: ZNR, Diámetro: 15.5mm, Máxima Corriente de Punta: 6000A, MPN: ERZV14D331 Panasonic Varistor de disco V, tensión de ruptura 330V, 50A, 115J, 580pF, dim.

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Componentes Pasivos > Componentes de Protección contra Sobretensiones > Varistores

Panasonic Varistor De Disco V, Tensión De Ruptura 330V, 50A, 115J, 580pF, Dim. 15.5 (Dia.) X 5.5mm, Paso 7.5mm

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Specifications of Panasonic Varistor De Disco V, Tensión De Ruptura 330V, 50A, 115J, 580pF, Dim. 15.5 (Dia.) X 5.5mm, Paso 7.5mm

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Panasonic Varistor de disco V, tensión de ruptura 120V, 100A, 85J, 5.5nF, dim. 21.5 (Dia.) x 5.3mm, paso 10mm

Panasonic Varistor de disco V, tensión de ruptura 120V, 100A, 85J, 5.5nF, dim. 21.5 (Dia.) x 5.3mm, paso 10mm

5nF, dim.5mm, MPN: ERZV20D121.5 (Dia.5mm, Máxima Corriente de Punta: 10000A, Longitud: 44.

    • Panasonic Varistor de disco V, tensión de ruptura 68V, 20A, 49J, 11.5nF, dim. 21.5 (Dia.) x 5.8mm, paso 10mm

    Panasonic Varistor de disco V, tensión de ruptura 68V, 20A, 49J, 11.5nF, dim. 21.5 (Dia.) x 5.8mm, paso 10mm

    8mm, paso 10mm, Máxima Tensión Nominal AC: 40V, Máxima Tensión Nominal DC: 65V, Tensión de Enclavamiento: 135V, Serie: ZNR, Diámetro: 21.) x 5.Panasonic Varistor de disco V, tensión de ruptura 68V, 20A, 49J, 11.5mm, Máxima Corriente de Punta: 3000A, MPN: ERZV20D680.

    • onsemi Transistor, PNP -2 A -30 V PCP, 3 pines, 440 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 3,5 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 65, Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SA2124-TD-E
    • onsemi Transistor, PNP -4 A -50 V PCP, 3 pines, 360 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 3,5 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SA2013-TD-E
    • onsemi Transistor, PNP -4 A -50 V PCP, 3 pines, 360 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 3,5 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 4.5 x 2.5 x 1.5mm, MPN: 2SA2013-TD-E