Infineon MOSFET AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, DirectFET ISOMETRIC

Name: Infineon - Infineon MOSFET AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, DirectFET ISOMETRIC
Brand: Infineon
SKU: ABEA-4795
Price: 82.64 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, DirectFET ISOMETRIC

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Infineon MOSFET AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, DirectFET ISOMETRIC

KEMET Condensador de polímero T521, 10μF ±20%, 75V dc, Montaje en Superficie, paso 3.8mm, dim. 7.3 x 4.3 x 4mm,

Molex Conector FPC macho Ángulo de 90° serie Easy-On de 6 vías, paso 1mm, 1 fila, para soldar, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Tipo de Montaje: Montaje Superficial, Tipo de Terminación: Contacto inferior ZIF, Valor Nominal de Corriente: 500mA, Tensión Nominal: 50 V ac/dc, Número de serie: 200528, Revestimiento del Contacto: Oro sobre Níquel, Material de la Carcasa: Polímero Cristal Líquido, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105°C, MPN: 200528-0060

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Specifications of Infineon MOSFET AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, DirectFET ISOMETRIC
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Last Updated January 15th, 2025 02:54 am

Infineon MOSFET AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, DirectFET ISOMETRIC

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RS PRO Muelle de tracción de acero, Ø ext. 11mm, L. libre 48mm, L. máx. 58.10mm, Ø alambre. 2.2mm, K 21.9N/mm, F.

máx.2mm, "K" 21. libre 48mm, L. 58.

TRACOPOWER Convertidor dc-dc 1W, Salida 12V dc, 90mA, 0.01, Rango de tensión de entrada: 9 → 36 V dc, Tensión de entrada nominal: 24 V dc, Tipo de montaje: Agujero pasante, Aislado: Sí, Encapsulado: DIP, Tensión de aislamiento: 1.6kV dc, Profundidad: 9.9mm, Longitud:: 13.2mm, Ancho: 9.1mm, Serie: TDN 1WI, MPN: TDN 1-2412WI

01.

Infineon MOSFET BSC010N04LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 275 A, TDSON-8 FL de 8 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,00105 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V

Infineon MOSFET BSC010N04LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 275 A, TDSON-8 FL de 8 pines.

Infineon MOSFET BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, MG-WDSON-2 de 7 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0104 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

Infineon MOSFET BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, MG-WDSON-2 de 7 pines.

Infineon MOSFET BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, MG-WDSON-2 de 7 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0104 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

Infineon MOSFET BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, MG-WDSON-2 de 7 pines.

Infineon MOSFET AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, DirectFET ISOMETRIC

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RS PRO Muelle de tracción de acero, Ø ext. 11mm, L. libre 48mm, L. máx. 58.10mm, Ø alambre. 2.2mm, K 21.9N/mm, F.

Infineon MOSFET BSC010N04LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 275 A, TDSON-8 FL de 8 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,00105 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V

Infineon MOSFET BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, MG-WDSON-2 de 7 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0104 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

Infineon MOSFET BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, MG-WDSON-2 de 7 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0104 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V