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Onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines

About The onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines, Serie: SUPERFET III, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,095 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1

onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines, Serie: SUPERFET III, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,095 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines

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Specifications of Onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines

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Onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines
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Bahco Vaso Bi-Hexágono TAH16B-1/2 de 0.5plg con Cuadrado de 12,7 mm, Tamaño de Vaso: 1/2plg, Imperial o Métrica: Imperial, Tamaño del Accionador: 1/2 pulg., Tipo de Vaso: Vaso estándar, Tipo de punta: 12 caras, Acabado: Pulido, Longitud Global: 38 mm, Material: Aleación de acero
    • onsemi MOSFET NTPF360N65S3H, VDSS 650 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines, Serie: SUPERFET III, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,36 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • Panasonic Resistencia SMD, 100Ω, ±5%, 0.66W, Película Gruesa, 1206 (3216M), Serie ERJP08, Coeficiente de Temperatura: ±200ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: ERJP08J101V
    • onsemi MOSFET NTPF190N65S3H, VDSS 650 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines

    onsemi MOSFET NTPF190N65S3H, VDSS 650 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines

    onsemi MOSFET NTPF190N65S3H, VDSS 650 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines.

    • Panasonic Condensador electrolítico serie KS-A, 22μF, ±20%, 50V dc, Radial, Orificio pasante, 8 (Dia.) x 5mm, paso 2.5mm, Capacitancia: 22µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 8mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +85°C, Vida Útil: 1000h, Corriente de Pérdida: 3 μA, Polarizado: Bipolar, Corriente de Rizado: 60mA, MPN: ECEA1HKS220
    • onsemi MOSFET NTPF125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TO−220 FULLPAK de 3 pines, Serie: SUPERFET III, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines, Serie: SUPERFET III, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,095 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1
    • RS PRO Caja de ABS Blanco, 105 x 70 x 35mm, Longitud Externa: 105 mm, Altura Externa: 35 mm, Anchura Externa: 70 mm, Con Reborde: Sí, Apantallado: No, Series: NUB
    • onsemi MOSFET NTPF095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines, Serie: SUPERFET III, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,095 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Número de Elementos por Chip: 1
    • RS PRO Caja de ABS Blanco, 105 x 70 x 35mm, Longitud Externa: 105 mm, Altura Externa: 35 mm, Anchura Externa: 70 mm, Con Reborde: Sí, Apantallado: No, Series: NUB