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Infineon MOSFET BSC0910NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, TISON-8 De 8 Pines, 2elementos

About The Infineon MOSFET BSC0910NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, TISON-8 de 8 pines, 2elementos, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0059 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V

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Infineon MOSFET BSC0910NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, TISON-8 De 8 Pines, 2elementos

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Specifications of Infineon MOSFET BSC0910NDIATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, TISON-8 De 8 Pines, 2elementos

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KEMET Condensador cerámico multicapa MLCC,, 1nF, ±10%, 100V dc, Montaje en orificio pasante, X7R dieléctrico 2.54 mm, Dimensiones: 3.81 x 3.3 x 5.33mm, Longitud: 3.81mm, Profundidad: 3.3mm, Serie: Goldmax 300, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: C315C102K1R5TA
    • Infineon MOSFET BSZ014NE2LS5IFATMA1, VDSS 25 V, ID 176 A, TSDSON-8 FL de 8 pines

    Infineon MOSFET BSZ014NE2LS5IFATMA1, VDSS 25 V, ID 176 A, TSDSON-8 FL de 8 pines

    Infineon MOSFET BSZ014NE2LS5IFATMA1, VDSS 25 V, ID 176 A, TSDSON-8 FL de 8 pines.

    • Infineon MOSFET BSF450NE7NH3XUMA1, VDSS 75 V, ID 15 A, MG-WDSON-2 de 6 pines

    Infineon MOSFET BSF450NE7NH3XUMA1, VDSS 75 V, ID 15 A, MG-WDSON-2 de 6 pines

    Infineon MOSFET BSF450NE7NH3XUMA1, VDSS 75 V, ID 15 A, MG-WDSON-2 de 6 pines.

    • ATP Tarjeta de Memoria Flash CFast, 16 GB Sí A600Si MLC -40 → +85°C, Capacidad de memoria: 16GB, Velocidad de lectura: 510MB/s, Velocidad de escritura: 175MB/s, Interfaz: SATA III, MPN: AF16GCS-XAEIP
    • ATP Tarjeta de Memoria Flash CFast, 16 GB Sí A600Si MLC -40 → +85°C, Capacidad de memoria: 16GB, Velocidad de lectura: 510MB/s, Velocidad de escritura: 175MB/s, Interfaz: SATA III, MPN: AF16GCS-XAEIP