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Microchip MOSFET TN2106K1-G, VDSS 60 V, ID 280 MA, TO-236 De 3 Pines,, Config. Simple

About The 6V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 3.04mm

Microchip MOSFET TN2106K1-G, VDSS 60 V, ID 280 mA, TO-236 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 360 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 3.04mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Microchip MOSFET TN2106K1-G, VDSS 60 V, ID 280 MA, TO-236 De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Microchip MOSFET TN2106K1-G, VDSS 60 V, ID 280 MA, TO-236 De 3 Pines,, Config. Simple

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