Vishay MOSFET SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Conteo de Pines: 3 + Tab, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.2V
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Vishay MOSFET SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple | |
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