Vishay MOSFET SIHF9630STRL-GE3, VDSS 200 V, ID 4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 800 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 4.83mm, Longitud: 10.67mm
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Vishay MOSFET SIHF9630STRL-GE3, VDSS 200 V, ID 4 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIHF9630STRL-GE3, VDSS 200 V, ID 4 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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