onsemi Transistor Darlington, NPN 4 A, 350 V, HFE:300, DPAK (TO-252), 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 2 V, Tensión Base Máxima del Colector: 700 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1,5 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 250µA, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: NJD35N04G
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Onsemi Transistor Darlington, NJD35N04G, NPN 4 A, 350 V, HFE:300, DPAK (TO-252), 3 Pines Simple
Specifications of Onsemi Transistor Darlington, NJD35N04G, NPN 4 A, 350 V, HFE:300, DPAK (TO-252), 3 Pines Simple | |
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