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Infineon Módulo MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos

About The Infineon Módulo MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,045 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.55V, Material del transistor: SiC

Infineon Módulo MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,045 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.55V, Material del transistor: SiC

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon Módulo MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos

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Specifications of Infineon Módulo MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos

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RS PRO No Resistencia SMD, 30kΩ, 0.01, 0.63W, Película Gruesa, 0402, Tolerancia: ±1%

RS PRO No Resistencia SMD, 30kΩ, 0.01, 0.63W, Película Gruesa, 0402, Tolerancia: ±1%

RS PRO No Resistencia SMD, 30kΩ, 0.01, 0.63W, Película Gruesa, 0402.

    • RS PRO No Resistencia SMD, 1.5MΩ, 0.01, 0.25W, Película Gruesa, 1206, Coeficiente de Temperatura: ±200ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C
    • RS PRO No Resistencia SMD, 100Ω, 0.05, 0.75W, Película Gruesa, 2010, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C
    • Infineon Módulo tiristor SCR, 1800V, 775A, 250mA, Corriente Nominal de Supresión: 23500A, Tensión de Encendido de Pico: 1.35V, MPN: TD780N18KOFHPSA1
    • StarTech.com Cable USB 2.0, con A.

    StarTech.com Cable USB 2.0, con A.

    IDC de 5 contactos Hembra, con B. StarTech.com Cable USB 2.

    • Infineon Módulo tiristor SCR, 1800V, 566A, 250mA, Corriente Nominal de Supresión: 20000A, Tensión de Encendido de Pico: 1.38V, MPN: TD570N18KOFHPSA1
    • Infineon Módulo MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,045 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.55V, Material del transistor: SiC
    • DiodesZetex MOSFET DMN6068SE-13, VDSS 60 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    DiodesZetex MOSFET DMN6068SE-13, VDSS 60 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    DiodesZetex MOSFET DMN6068SE-13, VDSS 60 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines,, config.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.

    • Infineon Módulo MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1, VDSS 1200 V, ID 25 A, AG-EASY2B, 4elementos, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,045 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 5.55V, Material del transistor: SiC
    • DiodesZetex MOSFET DMN6068SE-13, VDSS 60 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    DiodesZetex MOSFET DMN6068SE-13, VDSS 60 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    DiodesZetex MOSFET DMN6068SE-13, VDSS 60 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines,, config.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.