Vishay MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 47 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Vishay MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines,, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |