Vishay Siliconix MOSFET Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V
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Vishay Siliconix MOSFET Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay Siliconix MOSFET Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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