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Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config

Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 De 8 Pines,, Config. Simple

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Nisshinbo Micro Devices Amplificadores operacionales NJM2058V-TE1 Ganancia alta, 18 V SSOP14, 14 pines

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    • ROHM MOSFET SCT4013DRC15, VDSS 750 V, ID 105 A, Tubo, Tipo de Canal: N, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante
    • BEL POWER SOLUTIONS INC Fuente de alimentación conmutada integrada (SMPS) Power-One, 5/12/15V dc, 4 A, 10 A, 3.5 → 40 A, 375W, 4, Tensión de entrada: 85 → 264V ac, Tipo de montaje: Encapsulado, Longitud:: 228.6mm, Ancho: 127mm, Profundidad: 63.5mm, Efficiency: 68%, Temperatura máxima: +50°C, Peso: 2kg, MPN: PFC375-4004F
    • TE Connectivity Herramienta de crimpado, serie CERTI-CRIMP, para cables de 20 → 18AWG, Para Uso Con: Splices PIDG, terminales PIDG, terminales de agarre de plástico, Funcionamiento: Mano, De carraca: Sí, MPN: 525690
    • Infineon Diodo de conmutación, 40A, 650V Schottky SiC, PG-TO247-3, 3-Pines, Schottky SiC, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW40G65C5XKSA1
    • Infineon Diodo de conmutación, 18A, 1200V Schottky SiC, PG-TO252-2, 2-Pines, Schottky SiC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, MPN: IDM10G120C5XTMA1
    • RS PRO Avellanador cónico a 90°, HSS, cabezal de 20mm de 3 ranuras, piezas, Número de Piezas: 1

    RS PRO Avellanador cónico a 90°, HSS, cabezal de 20mm de 3 ranuras, piezas, Número de Piezas: 1

    RS PRO Avellanador cónico a 90°, HSS, cabezal de 20mm de 3 ranuras, piezas.

    • Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm.Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config.

    • RS PRO Avellanador cónico a 90°, HSS, cabezal de 20mm de 3 ranuras, piezas, Número de Piezas: 1

    RS PRO Avellanador cónico a 90°, HSS, cabezal de 20mm de 3 ranuras, piezas, Número de Piezas: 1

    RS PRO Avellanador cónico a 90°, HSS, cabezal de 20mm de 3 ranuras, piezas.

    • Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    99mm.Vishay Siliconix MOSFET Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple, Serie: TrenchFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 110 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.