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Siemens Módulo De Expansión, 5 →30 V, 2 A, Long. 117mm

About The 117mm, Tipo de Accesorio: Módulo de ampliación, Para Uso con: Motor, Serie: SINAMICS G120X, Distrelec Product Id: 30264255, MPN: 6SL3255-0BE00-0AA0.Siemens Módulo de expansión, 5 →30 V, 2 A, long

117mm, Tipo de Accesorio: Módulo de ampliación, Para Uso con: Motor, Serie: SINAMICS G120X, Distrelec Product Id: 30264255, MPN: 6SL3255-0BE00-0AA0 Siemens Módulo de expansión, 5 →30 V, 2 A, long.

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Siemens Módulo De Expansión, 5 →30 V, 2 A, Long. 117mm

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onsemi MOSFET NVD5C454NT4G, VDSS 40 V, ID 83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

onsemi MOSFET NVD5C454NT4G, VDSS 40 V, ID 83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

onsemi MOSFET NVD5C454NT4G, VDSS 40 V, ID 83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.

    • onsemi Diodo, 30A, 650V Schottky SiC, TO-247, 2-Pines, Schottky SiC, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, Número de Elementos por Chip: 1, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.125kA, MPN: FFSH3065A
    • onsemi MOSFET NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 37 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Altura: 1.05mm
    • onsemi IGBT, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±30V, Disipación de Potencia Máxima: 333 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.87mm, Ancho: 4.82mm, Altura: 20.82mm, Dimensiones: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Energía nominal: 50µJ, MPN: FGH60T65SQD-F155
    • onsemi IGBT, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±30V, Disipación de Potencia Máxima: 333 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.87mm, Ancho: 4.82mm, Altura: 20.82mm, Dimensiones: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Energía nominal: 50µJ, MPN: FGH60T65SQD-F155