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ABB Detector De Alarma De Seguridad, Alcance 2m

About The ABB Detector de alarma de seguridad, alcance 2m, Tipo de detector: Detector de vibración, Profundidad: 9 mm, MPN: ABBGHV9220004V0009

ABB Detector de alarma de seguridad, alcance 2m, Tipo de detector: Detector de vibración, Profundidad: 9 mm, MPN: ABBGHV9220004V0009

Seguridad y Protección & Metrología & Mantenimiento de Instalaciones > Seguridad y Herrajes para Puertas y Ventanas > Alarmas de Seguridad y Detectores > Detectores de Movimiento

ABB Detector De Alarma De Seguridad, Alcance 2m

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Specifications of ABB Detector De Alarma De Seguridad, Alcance 2m

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ABB Detector De Alarma De Seguridad, Alcance 2m
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Yuasa Batería recargable NiCd, 6V, 4Ah, 5 celdas D, terminal tipo Conector AMP, Química: Níquel-Cadmio, Gama de la Marca: YU-Lite NiCd, Rango de Temperatura de Funcionamiento: -20 → +70°C, Número de Baterías Suministradas: 1, MPN: 5DH4-0LA4
    • onsemi MOSFET NVD5C454NT4G, VDSS 40 V, ID 83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVD5C454NT4G, VDSS 40 V, ID 83 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 56 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.

    • onsemi Diodo, 30A, 650V Schottky SiC, TO-247, 2-Pines, Schottky SiC, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, Número de Elementos por Chip: 1, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.125kA, MPN: FFSH3065A
    • onsemi MOSFET NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 37 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Altura: 1.05mm
    • onsemi MOSFET NTMFD5C674NLT1G, VDSS 60 V, ID 42 A, DFN de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 37 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Altura: 1.05mm