Infineon MOSFET BSC520N15NS3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 57 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.1mm
Infineon MOSFET BSC520N15NS3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, TDSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 57 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.1mm
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
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Specifications of Infineon MOSFET BSC520N15NS3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple | |
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