reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple
More Varieties

Rating :- 9.74 /10
Votes :- 38
Nichicon Condensador electrolítico serie GL, 220μF, ±20%, 400V dc, de encaje a presión, 25 (Dia.) x 25mm, paso 10mm, Capacitancia: 220µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Vida Útil: 2000h, Corriente de Pérdida: 880 μA, Corriente de Rizado: 780mA, MPN: LGL2G221MELA25
    • Nichicon Condensador de polímero CS, 39μF ±20%, 16V dc, Montaje en Superficie, paso 1.6mm, dim. 5 (Dia) x 6mm

    Nichicon Condensador de polímero CS, 39μF ±20%, 16V dc, Montaje en Superficie, paso 1.6mm, dim. 5 (Dia) x 6mm

    5 (Dia) x 6mm, Capacitancia: 39µF, Gama de material dieléctrico: Aluminio, Resistencia de Serie Equivalente: 35mΩ, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Tipo de Electrolito: Sólido, Diámetro: 5mm, MPN: PCS1C390MCL1GS.

    • Murata Power Solutions Convertidor dc-dc 1W, Salida 24V dc, 42mA, 0.03, Rango de tensión de entrada: 4,5 → 9 V dc, Potencia nominal: 1 W, 3W, Tensión de entrada nominal: 5 V dc, Corriente de Salida: 42 mA, 125mA, Tipo de montaje: Agujero pasante, Aislado: Sí, Encapsulado: SMA, Tensión de aislamiento: 5.7kV dc, Profundidad: 13.85mm, Longitud:: 44.07mm, Ancho: 22.61mm, Serie: MGJ6, MPN: MGJ6Q05P24MC-R7
    • onsemi Transistor, MMBT6520LT1G, PNP -500 mA -350 V. SOT-23, 3 pines, 20 MHz, Simple

    onsemi Transistor, MMBT6520LT1G, PNP -500 mA -350 V. SOT-23, 3 pines, 20 MHz, Simple

    11mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT6520LT1G.04 x 2.64 x 1.

    • Lapp Cable de datos apantallado LiHCH UNITRONIC de 4 conductores, 2 pares, 0,75 mm², 18 AWG, long.
    • TE Connectivity Conector macho para PCB Ángulo de 90° serie AMP-LATCH de 14 vías, 2 filas, paso 2.54mm, para soldar,, Recubierto/No Recubierto: Recubierto, Sistema de conectores: Cable a Placa, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Soldador, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Revestimiento del Contacto: Oro, Valor Nominal de Corriente: 1.0A, Tensión Nominal: 250,0 V., MPN: 2-1761607-5
    • onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.

    • onsemi MOSFET FQA40N25, VDSS 250 V, ID 40 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQA40N25, VDSS 250 V, ID 40 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQA40N25, VDSS 250 V, ID 40 A, TO-3PN de 3 pines,, config.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 280 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.

    • onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 85 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FQP3P50, VDSS 500 V, ID 2,7 A, TO-220AB de 3 pines,, config.

    • onsemi MOSFET FQA40N25, VDSS 250 V, ID 40 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQA40N25, VDSS 250 V, ID 40 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple

    8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 280 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.