IXYS MOSFET IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines,, config. Simple, Serie: HiperFET, Polar, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 700 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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IXYS MOSFET IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 De 4 Pines,, Config. Simple
Specifications of IXYS MOSFET IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 De 4 Pines,, Config. Simple | |
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