Nexperia MOSFET PMV213SN,215, VDSS 100 V, ID 1,9 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Encapsulado: SOT-23 (TO-236AB), Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 1mm.Nexperia MOSFET PMV213SN,215, VDSS 100 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines,, config
Simple, Tipo de Encapsulado: SOT-23 (TO-236AB), Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 1mm Nexperia MOSFET PMV213SN,215, VDSS 100 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines,, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Nexperia MOSFET PMV213SN,215, VDSS 100 V, ID 1,9 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Specifications of Nexperia MOSFET PMV213SN,215, VDSS 100 V, ID 1,9 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
