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Fuji Electric IGBT, 35 A, 600 V, IPM, 36-Pines, Disipación de Potencia Máxima: 41 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 43 x 26 x 3.83mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: 6MBP35XSF060-50-P
    • Fuji Electric 6MBP35XSF060-50-P IGBT, 35 A 600 V, 36-Pin IPM, Through Hole, Maximum Power Dissipation: 41 W, Dimensions: 43 x 26 x 3.83mm, Maximum Operating Temperature: +125 °C, Minimum Operating Temperature: -40 °C
    • Fuji Electric IGBT-Modul / 50 A ±20V max., 1200 V 280 W, 24-Pin M712 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 122 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 122mm, Breite: 62mm, MPN: 7MBR50VB-120-50
    • Fuji Diode; 0.6 A; 0.55 V (Max.) @ 0.6 A; 40; 25 A; -40 degC; 150 degC, MPN: ERA82-004
    • Fuji Electric 7MBP75RA-120-55 3 Phase IGBT Module, 75 A 1200 V, 22-Pin P 610, PCB Mount, Maximum Power Dissipation: 500 W, Dimensions: 109 x 88 x 22mm, Maximum Operating Temperature: +100 °C, Minimum Operating Temperature: -20 °C, Width: 88mm
    • Fuji Semiconductor Diode; 100A IF; 1.25 V (Max.); 1600V; 0.22C/W (Max.); 1200A Ifms; 6 in One, MPN: 6RI100G-160

    Fuji Semiconductor Diode; 100A IF; 1.25 V (Max.); 1600V; 0.22C/W (Max.); 1200A Ifms; 6 in One, MPN: 6RI100G-160

    ); 1600V; 0.22C/W (Max.Fuji Semiconductor Diode; 100A IF; 1.); 1200A Ifms; 6 in One.

    • Fuji Electric Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 280 W, Configuración: Puente trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 122 x 62 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Longitud: 122mm, Ancho: 62mm, MPN: 7MBR50VB-120-50
    • Fuji Electric Módulo IGBT, N-Canal, 75 A, 1.200 V, P 610, 22-Pines Trifásico, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 109 x 88 x 22mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +100 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20 °C, Ancho: 88mm, MPN: 7MBP75RA-120-55
    • Fuji Electric IGBT,, 35 A, 600 V, IPM, 36 broches, Dissipation de puissance maximum: 41 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 43 x 26 x 3.83mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: 6MBP35XSF060-50-P
    • Fuji Electric IGBT-Modul / 50 A ±20V max., 1200 V 280 W, 24-Pin M712 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 122 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 122mm, Breite: 62mm, MPN: 7MBR50VB-120-50
    • Fuji Diode; 0.6 A; 0.55 V (Max.) @ 0.6 A; 40; 25 A; -40 degC; 150 degC, MPN: ERA82-004
    • Fuji Electric Módulo IGBT, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 280 W, Configuración: Puente trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 122 x 62 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Longitud: 122mm, Ancho: 62mm, MPN: 7MBR50VB-120-50
    • Fuji Electric Módulo IGBT, N-Canal, 75 A, 1.200 V, P 610, 22-Pines Trifásico, Disipación de Potencia Máxima: 500 W, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 109 x 88 x 22mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +100 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20 °C, Ancho: 88mm, MPN: 7MBP75RA-120-55
    • Fuji Electric Diode; 0.98 V (Max.) @ 10 A; 20 A; 200; 80 A; 200 muA; 40 ns; 2.5 degC/W (Max.), MPN: YG906C2R

    Fuji Electric Diode; 0.98 V (Max.) @ 10 A; 20 A; 200; 80 A; 200 muA; 40 ns; 2.5 degC/W (Max.), MPN: YG906C2R

    ) @ 10 A; 20 A; 200; 80 A; 200 muA; 40 ns; 2.98 V (Max.).5 degC/W (Max.

    • Fuji Electric Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, M712, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 280 W, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 24, Dimensioni: 122 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Lunghezza: 122mm, Larghezza: 62mm, MPN: 7MBR50VB-120-50
    • Fuji Semiconductor MOSFET, POWER, AVALANCHE RATED, N-CHANNEL, 500V, 14A, 195W, 0.52 OHM, TO-200AB, MPN: 2SK3468-01

    Fuji Semiconductor MOSFET, POWER, AVALANCHE RATED, N-CHANNEL, 500V, 14A, 195W, 0.52 OHM, TO-200AB, MPN: 2SK3468-01

    Fuji Semiconductor MOSFET, POWER, AVALANCHE RATED, N-CHANNEL, 500V, 14A, 195W, 0.52 OHM, TO-200AB.

    • Fuji Electric Module IGBT,, 75 A, 1200 V, P 610, 22 broches, Triphasé, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Type de montage: Montage sur CI, Dimensions: 109 x 88 x 22mm, Température d'utilisation maximum: +100 °C, Température de fonctionnement minimum: -20 °C, Largeur: 88mm, MPN: 7MBP75RA-120-55
    • Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 50 A 1200 V, 24-Pin M712, Through Hole, Maximum Gate Emitter Voltage: ±20V, Maximum Power Dissipation: 280 W, Dimensions: 122 x 62 x 17mm, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Length: 122mm, Width: 62mm
    • Fuji Electric IGBT-Modul / 50 A ±20V max., 1200 V 280 W, 24-Pin M712 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 122 x 62 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 122mm, Breite: 62mm, MPN: 7MBR50VB-120-50
    • Fuji Semiconductor MOSFET, POWER, AVALANCHE RATED, N-CHANNEL, 500V, 14A, 195W, 0.52 OHM, TO-200AB, MPN: 2SK3468-01

    Fuji Semiconductor MOSFET, POWER, AVALANCHE RATED, N-CHANNEL, 500V, 14A, 195W, 0.52 OHM, TO-200AB, MPN: 2SK3468-01

    52 OHM, TO-200AB.Fuji Semiconductor MOSFET, POWER, AVALANCHE RATED, N-CHANNEL, 500V, 14A, 195W, 0.

    • Fuji Semiconductor Rectifier; 5 V @ 15 A; 10 A; 600; 40 A; 50 muA (Max.); 30 ns (Max.); TO-247, MPN: PH967C6

    Fuji Semiconductor Rectifier; 5 V @ 15 A; 10 A; 600; 40 A; 50 muA (Max.); 30 ns (Max.); TO-247, MPN: PH967C6

    Fuji Semiconductor Rectifier; 5 V @ 15 A; 10 A; 600; 40 A; 50 muA (Max.); 30 ns (Max.); TO-247.

    • Fuji Electric IGBT, VCE 600 V, IC 35 A, IPM, Dissipazione di potenza massima: 41 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 36, Dimensioni: 43 x 26 x 3.83mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: 6MBP35XSF060-50-P
    • Fuji Semiconductor Diode; 100A IF; 1.25 V (Max.); 1600V; 0.22C/W (Max.); 1200A Ifms; 6 in One, MPN: 6RI100G-160
    • Fuji Diode; 0.6 A; 0.55 V (Max.) @ 0.6 A; 40; 25 A; -40 degC; 150 degC, MPN: ERA82-004
    • Fuji Electric Module IGBT,, 50 A, 1200 V, M712, 24 broches, Triphasé, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 280 W, Configuration: Pont triphasé, Type de montage: Traversant, Dimensions: 122 x 62 x 17mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 122mm, Largeur: 62mm, MPN: 7MBR50VB-120-50
    • Fuji Diode; 0.6 A; 0.55 V (Max.) @ 0.6 A; 40; 25 A; -40 degC; 150 degC, MPN: ERA82-004
    • Fuji Electric Diode; 0.98 V (Max.) @ 10 A; 20 A; 200; 80 A; 200 muA; 40 ns; 2.5 degC/W (Max.), MPN: YG906C2R

    Fuji Electric Diode; 0.98 V (Max.) @ 10 A; 20 A; 200; 80 A; 200 muA; 40 ns; 2.5 degC/W (Max.), MPN: YG906C2R

    5 degC/W (Max.98 V (Max.Fuji Electric Diode; 0.) @ 10 A; 20 A; 200; 80 A; 200 muA; 40 ns; 2.

    • Fuji Electric Diode; 0.98 V (Max.) @ 10 A; 20 A; 200; 80 A; 200 muA; 40 ns; 2.5 degC/W (Max.), MPN: YG906C2R
    • Fuji Electric IGBT, 35 A, 600 V, IPM, 36-Pines, Disipación de Potencia Máxima: 41 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 43 x 26 x 3.83mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: 6MBP35XSF060-50-P
    • Fuji Electric Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, P 610, Dissipazione di potenza massima: 500 W, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Numero pin: 22, Dimensioni: 109 x 88 x 22mm, Massima temperatura operativa: +100 °C, Minima temperatura operativa: -20 °C, Larghezza: 88mm, MPN: 7MBP75RA-120-55
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