IXYS SCR Thyristor 31A TO-247AD 1200V 320A, Montage-Typ: THT, Gate-Triggerstrom Max.: 80mA, Gate-Triggerspannung Max.: 1.2V, Haltestrom Max.: 100mA, Abmessungen: 16.26 X 5.3 X 21.46mm, Betriebstemperatur Max.: +125 °C, Betriebstemperatur Min.: –40 °C, Durchlassspannung-Spitzenwert: 1.6V, MPN: CS30-12IO1 Brand IXYS Business-to-business Business-to-business.mybogy.online

IXYS SCR Modul Zweifachthyristormodul 116A TO-240AA 800V 2.4kA, Montage-Typ: Tafelmontage, Gate-Triggerstrom max.: 150mA, Gate-Triggerspannung max.: 2.5V, Haltestrom max.: 200mA, Pinanzahl: 7, Abmessungen: 92 x 20.8 x 30mm, Distrelec Product Id: 30253469, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Durchlassspannung-Spitzenwert: 1.5V, MPN: MCC95-08io1B

4kA.IXYS SCR Modul Zweifachthyristormodul 116A TO-240AA 800V 2.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin TO-264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 85 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.16mm, Länge: 19.96mm, MPN: IXFK64N50Q3

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin TO-264.

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 600V / 90A, 4-Pin SOT-227B, Montage-Typ: Frontplattenmontage, Gleichrichter-Typ: Fast Recovery, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 2.35V, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 1kA, MPN: DSEP2x91-06A

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 600V / 90A, 4-Pin SOT-227B.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 490 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFR24N100Q3

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247.

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX120N30P3

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 kW, 3-Pin PLUS247.

IXYS SCR Modul Thyristormodul 140A TO-240 1600V 2.59kA, Montage-Typ: Tafelmontage, Gate-Triggerstrom max.: 200mA, Gate-Triggerspannung max.: 1.6V, Abmessungen: 92 x 20.8 x 30.2mm, Betriebstemperatur max.: +140 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Durchlassspannung-Spitzenwert: 1.7V, MPN: MCMA140PD1600TB

IXYS SCR Modul Thyristormodul 140A TO-240 1600V 2.59kA.

IXYS Thyristor 158A SOT-227B 1600V 2.16kA, Montage-Typ: Schraubmontage, Gate-Triggerstrom max.: 200mA, Gate-Triggerspannung max.: 1.6V, Pinanzahl: 4, Abmessungen: 38.23 x 25.25 x 12.22mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Durchlassspannung-Spitzenwert: 1.89V, Spitzen Off-State Strom periodisch: 10mA, MPN: MCO150-16IO1

IXYS Thyristor 158A SOT-227B 1600V 2.16kA.

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFH22N60P3

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-247.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 145 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFH50N60P3

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247.

IXYS HiperFET, Q-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 45 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 94 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFR64N50Q3

IXYS HiperFET, Q-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 45 A 500 W, 3-Pin ISOPLUS247.

IXYS Brückengleichrichter, 3-phasig 40A 1700V THT GUFP 5-Pin 1.5mA Siliziumverbindung, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 400A, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Abmessungen: 35.3 x 5.6 x 25.2mm, Länge: 35.3mm, Distrelec Product Id: 30253251, MPN: GUO40-16NO1

5mA Siliziumverbindung.IXYS Brückengleichrichter, 3-phasig 40A 1700V THT GUFP 5-Pin 1.

IXYS Brückengleichrichter, 1-phasig 17A 1600V Schraubmontage 2.2V FO B B 4-Pin 300μA Siliziumverbindung, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 440A, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Stoßspitzensperrstrom: 300µA, Abmessungen: 28.5 x 28.5 x 10mm, Länge: 28.5mm, MPN: VBO22-16NO8

2V FO B B 4-Pin 300μA Siliziumverbindung.IXYS Brückengleichrichter, 1-phasig 17A 1600V Schraubmontage 2.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 32 A 1,25 kW, 3-Pin TO-264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.16mm, Länge: 19.96mm, MPN: IXFK32N100Q3

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 32 A 1,25 kW, 3-Pin TO-264.

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1700V / 60A, 4-Pin SOT-227, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.58V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Distrelec Product Id: 30253227, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 865A, MPN: DSI2x55-16A

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1700V / 60A, 4-Pin SOT-227.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 49 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFN100N50Q3

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin SOT-227.

IXYS IGBT / 70 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal, Dauer-Kollektorstrom max.: 340 A, Montage-Typ: Frontplattenmontage, Schaltgeschwindigkeit: 50kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 38.23mm, Breite: 25.07mm, Höhe: 9.6mm, Abmessungen: 38.23 x 25.07 x 9.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXYN80N90C3H1

, 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal.IXYS IGBT / 70 A ±20V max.

IXYS SCR Thyristor 31A TO-247AD 1200V 320A, Montage-Typ: THT, Gate-Triggerstrom max.: 80mA, Gate-Triggerspannung max.: 1.2V, Haltestrom max.: 100mA, Abmessungen: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Durchlassspannung-Spitzenwert: 1.6V, MPN: CS30-12IO1

IXYS SCR Thyristor 31A TO-247AD 1200V 320A.

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 78 A 1,13 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 68 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 19.96mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFK78N50P3

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 78 A 1,13 kW, 3-Pin TO-264.

IXYS IGBT / 64 A ±20V max., 1200 V 480 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 50kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: IXYH40N120C3D1

IXYS IGBT / 64 A ±20V max., 1200 V 480 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal.

IXYS Brückengleichrichter, 3-phasig 82A 1600V Tafelmontage 1.5V V1-A-Pack 5-Pin 300μA Siliziumverbindung, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 640A, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Stoßspitzensperrstrom: 300µA, Abmessungen: 63 x 31.6 x 17mm, Länge: 63mm, MPN: VUO80-16NO1

5V V1-A-Pack 5-Pin 300μA Siliziumverbindung.IXYS Brückengleichrichter, 3-phasig 82A 1600V Tafelmontage 1.

IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-220AC 2-Pin Siliziumverbindung 2.52V, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Länge: 10.66mm, Breite: 4.82mm, Höhe: 16.51mm, Abmessungen: 10.66 x 4.82 x 16.51mm, MPN: DSEP29-06B

52V.

IXYS IGBT / 70 A ±20V max., 1200 V 577 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 50kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: IXYH40N120C3

, 1200 V 577 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal.IXYS IGBT / 70 A ±20V max.

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 600V / 60A, 4-Pin SOT-227B, Gleichrichter-Typ: Fast Recovery, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 2.27V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 55ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 600A, MPN: DSEP2X61-06A

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 600V / 60A, 4-Pin SOT-227B.

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX80N60P3

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247.

IXYS THT Diode, 1200V / 30A, 2-Pin TO-247AD, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schalt, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 2.7V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 75ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 180A, MPN: DHG30I1200HA

IXYS THT Diode, 1200V / 30A, 2-Pin TO-247AD.

IXYS Tafelmontage Diode, 800V / 190A, 3-Pin Y4 M6, Diodenkonfiguration: Serie, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.15V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 7.3kA, MPN: MMD172-08N1

IXYS Tafelmontage Diode, 800V / 190A, 3-Pin Y4 M6.

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1200V / 60A, 4-Pin SOT-227B, Montage-Typ: Frontplattenmontage, Gleichrichter-Typ: Fast Recovery, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 2.84V, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 220ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 800A, MPN: DSEP2x61-12A

IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1200V / 60A, 4-Pin SOT-227B.

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 16.26mm, MPN: IXFH70N20Q3

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247.

IXYS THT Diode, 600V / 20A, 2-Pin TO-247AD, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schalt, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 3.08V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 35ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 150A, MPN: DHG20I600HA

IXYS THT Diode, 600V / 20A, 2-Pin TO-247AD.

IXYS IGBT / 165 A ±20V max., 1200 V 690 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal, Montage-Typ: SMD, Schaltgeschwindigkeit: 5 → 30kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 38.2 x 25 x 9.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: IXYN100N120B3H1

, 1200 V 690 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal.