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Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,104 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL60R104C7AUMA1
    • Infineon IGBT / 40 A +/-20V max., 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO263-3, Montage-Typ: THT, MPN: IKB20N60H3ATMA1
    • Infineon Spannungsregler 500mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOT-223, 3+Tab-Pin, Fest, Ausgangsspannung: 5 V, Line-Regulation: 30 mV, Genauigkeit: ±3%, Load-Regulation: 90 mV, Montage-Typ: SMD, Polarität: Positiv, Ruhestrom: 4mA, Referenzspannung: 2.5V, Abmessungen: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, MPN: TLE4264-2G
    • Infineon IGBT / 15 A ±20V max., 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 16.13mm, Breite: 5.21mm, Höhe: 21.1mm, Abmessungen: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Nennleistung: 2.5mJ, Gate-Kapazität: 875pF, MPN: IGW15N120H3FKSA1
    • Infineon Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-220 2-Pin Siliziumverbindung 2.15V, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Betriebstemperatur min.: –55 °C, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 10.2mm, Breite: 4.5mm, Höhe: 15.95mm, Abmessungen: 10.2 x 4.5 x 15.95mm, Verlustleistung: 138W, MPN: IDP30E120
    • Infineon IGBT / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V 3,35 kW AG-PRIME2

    Infineon IGBT / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V 3,35 kW AG-PRIME2

    Dual, 1200 V 3,35 kW AG-PRIME2, MPN: FF600R12IE4BOSA1.Infineon IGBT / 600 A ±20V max.

    • Infineon CY8CMBR3 Kapazitiv Kapazitiver Berührungssensor 300mm, SOIC 16-Pin, Sensor-Typ: Näherungsschalter, Ausgangsstrom max.: 85mA, Ausgangsspannung max.: 0,6 V (niedriger Pegel), Schaltabstand: 30cm, Schaltmodus: Analog, Ausgangs-Typ: Open Drain, Montage-Typ: SMD, Versorgungsstrom max.: 25 mA, Abmessungen: 9.98 x 3.98 x 1.47mm, Länge: 9.98mm, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: CY8CMBR3110-SX2I
    • Infineon Motor Driver IC H Bridge IFX9201SGAUMA1, 20kHz, DSO, 12-Pin, 10A, 36 V, DC, Halbbrücke, IFX9201SG, Montage-Typ: SMD, Arbeitsspannnung min.: 5 V, Abmessungen: 7.5 x 6.4 x 2.35mm, Länge: 7.5mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C
    • Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP324H6327XTSA1
    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 16 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, MPN: IPC50N04S5L5R5ATMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 16 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, MPN: IPC50N04S5L5R5ATMA1

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 16 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6.

    • Infineon Latch Hall-Effekt-Sensor SMD Unipolar, MPN: TLE49641MXTMA1

    Infineon Latch Hall-Effekt-Sensor SMD Unipolar, MPN: TLE49641MXTMA1

    Infineon Latch Hall-Effekt-Sensor SMD Unipolar.

    • Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IPW65R019C7FKSA1
    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin SOIC 80ns, MPN: IRS2109STRPBF

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin SOIC 80ns, MPN: IRS2109STRPBF

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin SOIC 80ns.

    • Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 3.3 and 5V 14-Pin PG-TSDSO-14, MPN: TLE75004EPDXUMA1
    • Infineon SMD Schottky Diode, 8V / 130mA, 3-Pin SOT-323, Diodenkonfiguration: Serie, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, MPN: BAT6804WH6327XTSA1
    • Infineon Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 120mΩ 41 V max. 1 Ausg.
    • Infineon FRAM-Speicher 512kbit, 64K x 8 Bit 450ns Seriell-I2C SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V, Datenbus-Breite: 8bit, Abmessungen: 4.97 x 3.98 x 1.47mm, Länge: 4.97mm, Breite: 3.98mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: FM24V05-G
    • Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max., 1200 V 1000 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Montage-Typ: SMD, Verlustleistung max.: 1 kW, Abmessungen: 122 x 62 x 17mm, Länge: 122mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: FS200R12KT4R
    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 3,5 A, 4 A 17V 8-Pin DSO 19ns, Anzahl der Ausgänge: 2, Anstiegszeit: 20ns, Topologie: Galvanisch getrennt, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Zeitverzögerung: 330ns, Polarität: Inverting, Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Höhe: 1.65mm, MPN: 1EDI20I12AFXUMA1
    • Infineon Evaluierungsbausatz für Audiotestgerät, Mikrofon, KIT_IM69D127V11_FLEX Evaluierungsbausatz, Vorgestelltes Gerät: XENSIV MEMS microphones, MPN: KITIM69D127V11FLEXTOBO1
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 40 A PQFN 5 mm x 6 mm, MPN: IRFH5406TRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 40 A PQFN 5 mm x 6 mm, MPN: IRFH5406TRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 40 A PQFN 5 mm x 6 mm.

    • Infineon THT SiC-Schottky Diode, 650V / 8A, 2-Pin PG-TO220, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IDH08G65C6XKSA1
    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 174 A, 7-Pin D²PAK, MPN: SP005676948

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 174 A, 7-Pin D²PAK, MPN: SP005676948

    Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 174 A, 7-Pin D²PAK.

    • Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 90mΩ 28 V max. 1 Ausg.

    Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 90mΩ 28 V max. 1 Ausg.

    9 x 3.9 x 1.Infineon Power Switch IC Netzschalter, Hochspannungsseite Hochspannungsseite 90mΩ 28 V max., Betriebsstrom max.

    • Infineon FRAM-Speicher 2MBit, 256K x 8 bit 16ns SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V, Datenbus-Breite: 8bit, Abmessungen: 5 x 6 x 0.7mm, Länge: 5mm, Breite: 6mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: FM25V20A-DG
    • Infineon Flash-Speicher 256MB, SPI, WSON, 8-Pin, Zellen-Typ: NOR, MPN: S25FL256SAGNFI000
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A D2Pak (TO-263AB), MPN: IRFS3006TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A D2Pak (TO-263AB), MPN: IRFS3006TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A D2Pak (TO-263AB).

    • Infineon IGBT / 60 A +/-20V max., 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO220-3, Montage-Typ: THT, MPN: IGP30N60H3XKSA1
    • Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin SOIC 90ns, MPN: IRS2103STRPBF

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin SOIC 90ns, MPN: IRS2103STRPBF

    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin SOIC 90ns.

    • Infineon SMD SiC-Schottky Diode, 650V / 4A, 10-Pin PG-HDSOP, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, MPN: IDDD04G65C6XTMA1
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