Renesas Electronics Regulador De Impulso ISL9113ERAZ-T, Convertidor Elevador Síncrono, 500mA

Name: Renesas Electronics - Renesas Electronics Regulador De Impulso ISL9113ERAZ-T, Convertidor Elevador Síncrono, 500mA
Brand: Renesas Electronics
SKU: ABDW-131354
Price: 34.73 EUR
Availability: InStock

About The Renesas Electronics Regulador de impulso ISL9113ERAZ-T, Convertidor elevador síncrono, 500mA

Renesas Electronics Regulador de impulso ISL9113ERAZ-T, Convertidor elevador síncrono, 500mA

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Circuitos Integrados de Control de Alimentación > Convertidores Boost

ROHM Regulador de tensión BD00HC5WEFJ-E2, 1.5A HTSOP-J8, 8 pines, Ajustable, Tipo de regulador: Tensión lineal, Tensión de Salida: 7 V, Regulación de Línea: 1 %, Precisión: ±1%, Regulación de Carga: 1,5%, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Referencia: 0.8V, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1mm, Tensión Máxima de Entrada: 8 V

Renesas Electronics CI de cargador de batería de litio, Ión-litio, DFN, QFN, 10 pines, 2,5 V, MPN: ISL9205BIRZ

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Specifications of Renesas Electronics Regulador De Impulso ISL9113ERAZ-T, Convertidor Elevador Síncrono, 500mA
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Last Updated December 22nd, 2024 01:49 pm

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onsemi MOSFET NTJD5121NG, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

onsemi MOSFET NTJD5121NG, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTJD5121NT1G.5V, Disipación de Potencia Máxima: 266 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.

ROHM Transistor digital, PNP 100 mA -50 V SOT-323, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: DTA113ZU3T106

ROHM Transistor digital, DTA113ZU3T106, PNP 100 mA -50 V SOT-323, 3 pines.

ROHM Transistor, NPN 500 mA 60 V SOT-323, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: 2SC5876U3T106

ROHM Transistor, 2SC5876U3T106, NPN 500 mA 60 V SOT-323, 3 pines.

Euroquartz Unidad de cristal 12MHZ, ±30ppm, SMD, 4-Pin, 3.2 x 2.5 x 0.7mm, Tipo de Montaje: Montaje en Superficie, Capacitancia de Carga: 12pF, Longitud: 3.2mm, Anchura: 2.5mm, Resistencia de Serie: 100Ω, Máxima Temperatura de Funcionamiento: 85°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: 12.000MHz MT/30/30/-40+85/12pF

2 x 2.Euroquartz Unidad de cristal 12MHZ, ±30ppm, SMD, 4-Pin, 3.7mm.5 x 0.

Infineon Amplificador de RF BGA9V1MN9E6327XTSA1 Ruido bajo, 21 dB 1-Canales 4200 MHz TSNP-9-6, 9-Pines, Ancho de Banda 3dB Típico: 3300 → 4200MHZ, Cifra de Ruido Típico: 0.75dB

Infineon Amplificador de RF BGA9V1MN9E6327XTSA1 Ruido bajo, 21 dB 1-Canales 4200 MHz TSNP-9-6, 9-Pines.

Renesas Electronics CI de cargador de batería de litio, Ión-litio, DFN, QFN, 10 pines, 2,5 V, MPN: ISL9205BIRZ

Renesas Electronics CI de cargador de batería de litio, Ión-litio, DFN, QFN, 10 pines, 2,5 V.