onsemi MOSFET NTJD5121NG, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
5V, Disipación de Potencia Máxima: 266 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.onsemi MOSFET NTJD5121NG, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTJD5121NT1G.