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Infineon Amplificador De RF BGA9V1MN9E6327XTSA1 Ruido Bajo, 21 DB 1-Canales 4200 MHz TSNP-9-6, 9-Pines

About The 75dB.Infineon Amplificador de RF BGA9V1MN9E6327XTSA1 Ruido bajo, 21 dB 1-Canales 4200 MHz TSNP-9-6, 9-Pines, Ancho de Banda 3dB Típico: 3300 → 4200MHZ, Cifra de Ruido Típico: 0

Infineon Amplificador de RF BGA9V1MN9E6327XTSA1 Ruido bajo, 21 dB 1-Canales 4200 MHz TSNP-9-6, 9-Pines, Ancho de Banda 3dB Típico: 3300 → 4200MHZ, Cifra de Ruido Típico: 0.75dB

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Amplificadores y Comparadores > Amplificadores RF Integrados

Infineon Amplificador De RF BGA9V1MN9E6327XTSA1 Ruido Bajo, 21 DB 1-Canales 4200 MHz TSNP-9-6, 9-Pines

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Specifications of Infineon Amplificador De RF BGA9V1MN9E6327XTSA1 Ruido Bajo, 21 DB 1-Canales 4200 MHz TSNP-9-6, 9-Pines

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Rating :- 9.45 /10
Votes :- 40
600mm, 24 V, 4, Serie: SAC, Área Transversal: 3x 0,5 mm², Color de la Funda: Negro/Gris, Material de la Funda: PUR, Corriente Nominal: 4 A, Índice de Protección IP: IP65, IP67, American Wire Gauge (AWG): 20 AWG, MPN: 1435292
    • onsemi MOSFET NTJD5121NG, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

    onsemi MOSFET NTJD5121NG, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

    2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTJD5121NT1G.5V, Disipación de Potencia Máxima: 266 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.

    • ROHM Transistor digital, PNP 100 mA -50 V SOT-323, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: DTA113ZU3T106
    • ROHM Transistor, NPN 500 mA 60 V SOT-323, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: 2SC5876U3T106
    • ROHM Transistor, NPN 500 mA 60 V SOT-323, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: 2SC5876U3T106