Onsemi MOSFET FQP6N80C, VDSS 800 V, ID 5.5 A, TO-220AB De 3 Pines, Config. Simple
About The onsemi MOSFET FQP6N80C, VDSS 800 V, ID 5. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 158000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10
onsemi MOSFET FQP6N80C, VDSS 800 V, ID 5.5 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 158000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FQP6N80C, VDSS 800 V, ID 5.5 A, TO-220AB De 3 Pines, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET FQP6N80C, VDSS 800 V, ID 5.5 A, TO-220AB De 3 Pines, Config. Simple | |
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