onsemi MOSFET FQP6N80C, VDSS 800 V, ID 5.5 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 158000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.onsemi MOSFET FQP6N80C, VDSS 800 V, ID 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.5 A, TO-220AB de 3 pines, config.