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Onsemi Diodo, MBRS2H100T3G, Rectificador Schottky, 2A, 100V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 650mV

About The onsemi Diodo, Rectificador Schottky, 2A, 100V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 650mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 130A, MPN: MBRS2H100T3G

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Onsemi Diodo, MBRS2H100T3G, Rectificador Schottky, 2A, 100V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 650mV

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onsemi Transistor, NPN 500 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 50 V, Dimensiones: 3.04 x 2.64 x 1.11mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,7 V, MPN: SBC817-40LT1G
    • WIKA Termómetro con dial 48773846, Escala Centígrado, 0 → 100 °C, >100°C, Diámetro 100mm, Máxima Precisión: Clase 1 según EN 13190, Serie: R52
    • Carlo Gavazzi Relé de potencia sin enclavamiento RMI A45 de 4 polos, 4PDT, bobina 24V ac, 5A, enchufable, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tensión de Conmutación Máxima (AC): 250V, Tensión de Conmutación Máxima (DC): 30V dc, Longitud: 28mm, Resistencia de la Bobina: 650Ω, Potencia de la Bobina: 1.2W, Material de los Contactos: Aleación de Plata, Profundidad: 36mm, Altura: 21.5mm, MPN: RMIA45024AC
    • Carlo Gavazzi Relé de estado sólido RP1 D10 de 1 polo, control 3 → 32 V dc, carga 12 → 265V ac, 10 A, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Tensión de Carga Máxima: 265 V ac, Tensión de Carga Mínima: 12 V ac, Tensión de Control Mínimo: 3 V dc, Corriente de Carga Mínima: 10 mA, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tipo de relé: Monofásico, Tiempo de Activación Máximo: 1 s, MPN: RP1A23D10
    • Facom Llave dinamométrica digital de 17 → 340Nm, accionador Cuadrado de 1/2 pulg., Tamaño de la Pieza: 14 x 18mm, MPN: E.306A340S
    • onsemi MOSFET MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple

    04mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 115 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Altura: 1.onsemi MOSFET MGSF2N02ELT1G, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines,, config.01mm, Longitud: 3.

    • onsemi Diodo, Rectificador Schottky, 4A, 10V Barrera Schottky, DO-214AB (SMC), 2-Pines 250mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 150A, MPN: MBRS410LT3G
    • onsemi Diodo, Rectificador Schottky, 2A, 100V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 650mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 130A, MPN: MBRS2H100T3G
    • onsemi Diodo, Rectificador Schottky, 4A, 10V Barrera Schottky, DO-214AB (SMC), 2-Pines 250mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 150A, MPN: MBRS410LT3G
    • onsemi Diodo, Rectificador Schottky, 2A, 100V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 650mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 130A, MPN: MBRS2H100T3G