STMicroelectronics MOSFET STB18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 4.STMicroelectronics MOSFET STB18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.6mm.