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Vishay MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 263 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Vishay MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 263 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Specifications of Vishay MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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