Vishay MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
4V, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2.Vishay MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 263 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 0.