Toshiba MOSFET TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
About The 7V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Toshiba MOSFET TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 340 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Toshiba MOSFET TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Toshiba MOSFET TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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