Toshiba MOSFET TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple
7V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.Toshiba MOSFET TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.