Vishay MOSFET SQD100N04-3M6L-GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple
5V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101, Altura: 2. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.38mm, MPN: SQD100N04-3M6L_GE3.Vishay MOSFET SQD100N04-3M6L-GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.