onsemi MOSFET FDB52N20TM, VDSS 200 V, ID 52 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 49 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 4.572mm, Longitud: 9.