onsemi MOSFET FDG6316P, VDSS 12 V, ID 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
4V, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FDG6316P, VDSS 12 V, ID 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config.