Toshiba MOSFET TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 53 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.Toshiba MOSFET TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines,, config.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.